高頻探頭
高頻探頭
高頻探頭
高頻探頭為單晶接觸式或水浸式探頭，可產(chǎn)生等于或高于20 MHz的頻率。
優(yōu)勢(shì)
• 強(qiáng)阻尼寬帶設(shè)計(jì)提供了極佳的時(shí)間分辨率。
• 短波長(zhǎng)可獲得極強(qiáng)的缺陷分辨率能力。
• 直徑極小的聲束也可以聚焦。
• 頻率范圍為20 MHz到225 MHz。
應(yīng)用
• 高分辨率缺陷探測(cè)，如：微孔隙檢測(cè)或微裂紋檢測(cè)。
• 表面斷裂或不平整性的C掃描成像。
• 可測(cè)量薄如0.010毫米（0.0004英寸）材料的厚度*。
• 可對(duì)陶瓷及高級(jí)工程材料進(jìn)行檢測(cè)。
• 可對(duì)材料進(jìn)行分析。
*厚度范圍取決于材料、探頭、表面條件、溫度及所選的的設(shè)置。
高頻探頭為單晶接觸式或水浸式探頭，可產(chǎn)生等于或高于20 MHz的頻率。
優(yōu)勢(shì)
• 強(qiáng)阻尼寬帶設(shè)計(jì)提供了極佳的時(shí)間分辨率。
• 短波長(zhǎng)可獲得極強(qiáng)的缺陷分辨率能力。
• 直徑極小的聲束也可以聚焦。
• 頻率范圍為20 MHz到225 MHz。
應(yīng)用
• 高分辨率缺陷探測(cè)，如：微孔隙檢測(cè)或微裂紋檢測(cè)。
• 表面斷裂或不平整性的C掃描成像。
• 可測(cè)量薄如0.010毫米（0.0004英寸）材料的厚度*。
• 可對(duì)陶瓷及高級(jí)工程材料進(jìn)行檢測(cè)。
• 可對(duì)材料進(jìn)行分析。
*厚度范圍取決于材料、探頭、表面條件、溫度及所選的的設(shè)置。
高頻接觸式
• 使用直接接觸檢測(cè)法時(shí)，利用永久熔融石英延遲塊可進(jìn)行缺陷評(píng)價(jià)、材料分析或厚度測(cè)量。
• 3種不同延遲塊的配置（BA、 BB、 BC）可形成多種延遲塊回波的組合。
• 其標(biāo)準(zhǔn)連接器類型為直角Microdot（RM）。
• 使用直接接觸檢測(cè)法時(shí)，利用永久熔融石英延遲塊可進(jìn)行缺陷評(píng)價(jià)、材料分析或厚度測(cè)量。
• 3種不同延遲塊的配置（BA、 BB、 BC）可形成多種延遲塊回波的組合。
• 其標(biāo)準(zhǔn)連接器類型為直角Microdot（RM）。
我們備有頻率高達(dá)225•MHz的接觸式探頭。
探頭性能取決于所用的脈沖發(fā)生器/接收器以及具體的應(yīng)用。所有探頭的制造都以客戶提出的具體規(guī)格為基準(zhǔn)。請(qǐng)聯(lián)系我們，商議您的具體應(yīng)用。
頻率 標(biāo)稱
晶片尺寸 延遲 工件編號(hào) 探頭
MHz 英寸 毫米 微秒
20
0.25 6 4.25 V212-BA-RM
0.25 6 4.25 V212-BB-RM
0.25 6 2.5 V212-BC-RM
30
0.25 6 4.25 V213-BA-RM
0.25 6 4.25 V213-BB-RM
0.25 6 2.5 V213-BC-RM
50
0.25 6 4.25 V214-BA-RM
0.25 6 4.25 V214-BB-RM
0.25 6 2.5 V214-BC-RM
0.125 3 4.25 V215-BA-RM
0.125 3 4.25 V215-BB-RM
0.125 3 2.5 V215-BC-RM
75
0.25 6 2.5 V2022 (BC)
0.125 3 2.5 V2025 (BC)
100
0.125 3 4.25 V2054 (BA)
0.125 3 2.5 V2012 (BC)
125 0.125 3 2.5 V2062
若需要更高頻率的探頭，請(qǐng)與我們聯(lián)系。
探頭性能取決于所用的脈沖發(fā)生器/接收器以及具體的應(yīng)用。所有探頭的制造都以客戶提出的具體規(guī)格為基準(zhǔn)。請(qǐng)聯(lián)系我們，商議您的具體應(yīng)用。
頻率 標(biāo)稱
晶片尺寸 延遲 工件編號(hào) 探頭
MHz 英寸 毫米 微秒
20
0.25 6 4.25 V212-BA-RM
0.25 6 4.25 V212-BB-RM
0.25 6 2.5 V212-BC-RM
30
0.25 6 4.25 V213-BA-RM
0.25 6 4.25 V213-BB-RM
0.25 6 2.5 V213-BC-RM
50
0.25 6 4.25 V214-BA-RM
0.25 6 4.25 V214-BB-RM
0.25 6 2.5 V214-BC-RM
0.125 3 4.25 V215-BA-RM
0.125 3 4.25 V215-BB-RM
0.125 3 2.5 V215-BC-RM
75
0.25 6 2.5 V2022 (BC)
0.125 3 2.5 V2025 (BC)
100
0.125 3 4.25 V2054 (BA)
0.125 3 2.5 V2012 (BC)
125 0.125 3 2.5 V2062
若需要更高頻率的探頭，請(qǐng)與我們聯(lián)系。
高頻標(biāo)準(zhǔn)水浸外殼
• 永久熔融石英延遲塊。
• 聚焦單元使用一個(gè)高質(zhì)量的光學(xué)研磨透鏡。
• F202適配器可固定被動(dòng)UHF連接器和主動(dòng)Microdot連接器（參閱第40頁(yè)）。
• 將高頻率和小外殼設(shè)計(jì)的特點(diǎn)結(jié)合在一起。
• 永久熔融石英延遲塊。
• 聚焦單元使用一個(gè)高質(zhì)量的光學(xué)研磨透鏡。
• F202適配器可固定被動(dòng)UHF連接器和主動(dòng)Microdot連接器（參閱第40頁(yè)）。
• 將高頻率和小外殼設(shè)計(jì)的特點(diǎn)結(jié)合在一起。
頻率 標(biāo)稱
晶片尺寸 延遲 聚焦長(zhǎng)度 工件編號(hào) 探頭
MHz 英寸 毫米 微秒 英寸 毫米
20
0.25 6 4.25 平 V354-SU
0.25 6 2.5 0.75 19 V372-SU
0.25 6 4.25 1.25 32 V373-SU
0.25 6 4.25 2.00 51 V374-SU
30
0.25 6 4.25 平 V356-SU
0.25 6 2.25 0.75 19 V375-SU
0.25 6 4.25 1.25 32 V376-SU
0.25 6 4.25 2.00 51 V377-SU
50 0.25 6 4.25 平 V358-SU
晶片尺寸 延遲 聚焦長(zhǎng)度 工件編號(hào) 探頭
MHz 英寸 毫米 微秒 英寸 毫米
20
0.25 6 4.25 平 V354-SU
0.25 6 2.5 0.75 19 V372-SU
0.25 6 4.25 1.25 32 V373-SU
0.25 6 4.25 2.00 51 V374-SU
30
0.25 6 4.25 平 V356-SU
0.25 6 2.25 0.75 19 V375-SU
0.25 6 4.25 1.25 32 V376-SU
0.25 6 4.25 2.00 51 V377-SU
50 0.25 6 4.25 平 V358-SU
高頻su/rm水浸外殼
• 帶有高質(zhì)量的光學(xué)研磨透鏡的永久熔融石英延遲塊可使聲束的校直及聚焦達(dá)到很高的精度。
• 不銹鋼外殼帶有一個(gè)被動(dòng)平直UHF (SU)連接器和一個(gè)主動(dòng)直角Microdot (RM) 連接器。
• 大外殼可使用較大的延遲塊，并減少延遲塊的回響和噪音。
頻率 標(biāo)稱
晶片尺寸• 延遲 聚焦長(zhǎng)度 工件編號(hào) 連接器
MHz 英寸 毫米 微秒 英寸 毫米
50
0.25 6 19.5 0.50 13 V390-SU/RM
0.25 6 19.5 0.75 19 V3192
0.25 6 19.5 1.00 25 V3193
0.25 6 19.5 1.75 45 V3409
0.25 6 19.5 2.00 51 V3337
0.25 6 9.4 0.20 5 V3330*
0.125 3 19.5 0.50 13 V3332
75
0.25 6 19.5 0.50 13 V3320
0.25 6 19.5 0.75 19 V3349
90 0.25 6 19.5 0.50 13 V3512
100
0.25 6 19.5 0.50 13 V3194
0.25 6 19.5 1.00 25 V3394
0.25 6 9.4 0.20 5 V3534*
0.125 3 10 0.25 6 V3346
• 帶有高質(zhì)量的光學(xué)研磨透鏡的永久熔融石英延遲塊可使聲束的校直及聚焦達(dá)到很高的精度。
• 不銹鋼外殼帶有一個(gè)被動(dòng)平直UHF (SU)連接器和一個(gè)主動(dòng)直角Microdot (RM) 連接器。
• 大外殼可使用較大的延遲塊，并減少延遲塊的回響和噪音。
頻率 標(biāo)稱
晶片尺寸• 延遲 聚焦長(zhǎng)度 工件編號(hào) 連接器
MHz 英寸 毫米 微秒 英寸 毫米
50
0.25 6 19.5 0.50 13 V390-SU/RM
0.25 6 19.5 0.75 19 V3192
0.25 6 19.5 1.00 25 V3193
0.25 6 19.5 1.75 45 V3409
0.25 6 19.5 2.00 51 V3337
0.25 6 9.4 0.20 5 V3330*
0.125 3 19.5 0.50 13 V3332
75
0.25 6 19.5 0.50 13 V3320
0.25 6 19.5 0.75 19 V3349
90 0.25 6 19.5 0.50 13 V3512
100
0.25 6 19.5 0.50 13 V3194
0.25 6 19.5 1.00 25 V3394
0.25 6 9.4 0.20 5 V3534*
0.125 3 10 0.25 6 V3346
頻率 標(biāo)稱
晶片尺寸 工件編號(hào) 標(biāo)準(zhǔn)聚焦長(zhǎng)度
MHz 英寸 英寸
| 15 | 0.25 | PI15-2-RX.XX" | 1.00 |
| 20 | 0.25 | PI20-2-RX.XX" | 0.50, 1.00, 1.50, 2.00 |
| 35 | 0.25 | PI35-2-RX.XX" | 0.50, 0.75, 1.00, 1.50, 2.00 |
| 50 | 0.25 | PI50-2-RX.XX" | 0.50, 0.75, 1.00, 1.50, 2.00 |
| 75 | 0.125 | PI75-1-RX.XX" | 0.50, 1.00 |
由于聚合物探頭本身所具有的寬帶特性，它們的中心頻率可能會(huì)比探頭上標(biāo)注的頻率低一些。
注意：聚合物探頭的中心頻率基于聚合物薄膜晶片上膜的厚度。探頭性能極大地取決于脈沖發(fā)生器和線纜的特性，因此，有效中心頻率可能會(huì)低于標(biāo)稱值的15%～25%。
• 在不使用延遲塊或透鏡的情況下，提供匹配于水的最佳阻抗。
• 不產(chǎn)生會(huì)在熔融石英延遲塊設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的延遲塊回波。
• 寬帶性能。
